Si異方性エッチング

Si異方性エッチングは、Siの結晶軸方位を利用してハーフ穴及び貫通穴を施す技法です。 例えば、Siウｴハー（＃１００）型を異方性エッチングした場合、結晶軸方向の５４．7度の角度にて、シャープで高精度なパターン加工が可能です。