近年半導体チップの多ピン化、狭ピッチ化が益々進み、実装工程において高密度な実装が要求されています。
一方、RoHS指令やREACH規制により、従来のPb-Sn(ハンダ)の使用が難しくなり、鉛レスの実装が必要とされています。
豊和産業では、実装評価用のバンプ付きTEGチップをご要望に沿って製作し供給しております。
AuバンプやCuバンプのご要望も多いですが、近年Au-SnやSn-Agのお問合せも多くなってきています。
試作などのご相談に応じますのでお気軽にお尋ねください。
TEGのパターンは、弊社標準TEGパターン指定でも構いません。
また、パターン仕様にご希望があれば設計・製作も可能です。
AuSn組成:8:2 7:3(ご要望により微調整も可能です)
成膜方法:電気めっき、スパッタリング
膜   厚:0.1μm〜10μm程度
下地処理:電極パターン形成、CuやAu等薄膜のUBM形成
ワークサイズ:φ2インチ〜φ6インチ程度
パターン寸法:20μm程度〜
基板材質:Si、単結晶材、セラミックス、ガラエポ等耐熱樹脂、他
仕上げ:バックグラインド加工、ダイシング、トレイ詰め等
その他:実装用基板製作、実装評価のお手伝いも致します。

錫銀(Sn-Ag)系TEGも取り扱っています。
錫銀(Sn-Ag)系TEG

・Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、その他鉛フリ−材
・電気めっき、印刷、ボール搭載等による製作が可能です。
・その他、ご相談ください。


AuーSnめっきバンプ解析画像

Au−Snめっきバンプ表面

お問合せ先: 豊和産業株式会社
03-3375-2361
inf@houwa-sangyo.co.jp